第三代半导体起飞 晶圆代工大厂联电积极布局

据台媒报道，继台积电之后，又一家半导体晶圆代工龙头进军第三代半导体。联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域。联电计划从6英寸氮化镓产品入手，之后将展开布局碳化硅，并向8英寸晶圆发展。公司透露，第三代半导体制程将从CMOS转换而来，未来将伺机扩产。

联电表示，由于目前业内较少厂商能够提供GaN整体解决方案，正在构建技术平台，由联电、联颖共同研发，聚焦电子、射频微波等应用，预计明年将导入IC设计客户。另外，联电更与比利时微电子研究中心（IMEC）携手，开展第三代半导体研发。后者是全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构，英特尔、三星、台积电、高通等均与其有合作。

目前，氮化镓代工市场以台厂布局最为积极。台积电、世界先进等传统硅晶圆Foundry正在向这个市场靠拢，另外还包括X-Fab等特种工艺Foundry。

从氮化镓功率产业链来看，目前GaN-on-Si已成为GaN功率器件主流结构。外延方面，全球主流GaN外延片供货商依旧集中在欧洲国家及日本，中国企业尚未进入供给端第一梯队。除了纯粹的外延厂以外，部分晶圆代工厂在产业链上进行延伸，同样具备外延能力。器件方面，面向消费市场的650V GaN产品已经形成了批量供货能力，但更高压器件仍然较少。从氮化镓射频产业来看，目前具备相应技术的代工厂主要有Wolfspeed、稳懋、宏捷科、GCS、UMS、OMMIC等。

除联电之外，产业链其余厂商也没有错过第三代半导体这一契机。龙头台积电在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圆代工服务。同时，公司针对车用领域，与意法半导体合作开发GaN制程，而Navitas（GaN消费市场龙头）、GaN Systems等厂商也已在台积电投片，生产高压功率半导体器件。世界先进已展开8寸GaN on Si研发，已有超过10家客户进行产品设计，台湾电子时报指出，该技术可靠性与良率已接近量产阶段。就在上周，硅晶圆厂商环球晶宣布，明年将大幅扩产第三代半导体，GaN及SiC产能均将翻倍增长。各路厂商争相布局的背后，是新能源汽车、5G等新兴产业崛起和“双碳”目标带来的广阔增量空间。

总体来说，目前第三代半导体仍处于发展初期，分析师认为国内企业与国际巨头差距相对较小，对后来者也较为有利。