场效应管(FET)型号及主要参数表达含义
发布时间：2022-02-15 13:59:45 阅读量：2574
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。为帮助大家深入了解，本文将介绍关于场效应管(FET)型号及主要参数表达含义。
场效应管主要参数含义
Idss - 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up - 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut - 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM - 跨导.是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS -漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM -最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM -最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
| 参数符号 | 参数表达意义 | 参数符号 | 参数表达意义 |
| Cds | 漏-源电容 | IGP | 栅极峰值电流 |
| Cdu | 漏-衬底电容 | IF | 二极管正向电流 |
| Cgd | 栅-漏电容 | IGSS | 漏极短路时截止栅电流 |
| Cgs | 漏-源电容 | IDSS1 | 对管第一管漏源饱和电流 |
| Ciss | 栅短路共源输入电容 | IDSS2 | 对管第二管漏源饱和电流 |
| Coss | 栅短路共源输出电容 | Iu | 衬底电流 |
| Crss | 栅短路共源反向传输电容 | Ipr | 电流脉冲峰值（外电路参数） |
| D | 占空比（占空系数，外电路参数） | gfs | 正向跨导 |
| di/dt | 电流上升率（外电路参数） | Gp | 功率增益 |
| dv/dt | 电压上升率（外电路参数） | Gps | 共源极中和高频功率增益 |
| ID | 漏极电流（直流） | GpG | 共栅极中和高频功率增益 |
| IDM | 漏极脉冲电流 | GPD | 共漏极中和高频功率增益 |
| ID(on) | 通态漏极电流 | ggd | 栅漏电导 |
| IDQ | 静态漏极电流（射频功率管） | gds | 漏源电导 |
| IDS | 漏源电流 | K | 失调电压温度系数 |
| IDSM | 最大漏源电流 | Ku | 传输系数 |
| IDSS | 栅-源短路时，漏极电流 | L | 负载电感（外电路参数） |
| IDS(sat) | 沟道饱和电流（漏源饱和电流） | LD | 漏极电感 |
| IG | 栅极电流（直流） | Ls | 源极电感 |
| IGF | 正向栅电流 | rDS | 漏源电阻 |
| IGR | 反向栅电流 | rDS(on) | 漏源通态电阻 |
| IGDO | 源极开路时，截止栅电流 | rDS(of) | 漏源断态电阻 |
| IGSO | 漏极开路时，截止栅电流 | rGD | 栅漏电阻 |
| IGM | 栅极脉冲电流 | rGS | 栅源电阻 |
| Tc | 管壳温度 | Rg | 栅极外接电阻（外电路参数） |
| Tstg | 贮成温度 | RL | 负载电阻（外电路参数） |
| VDS | 漏源电压（直流） | R(th)jc | 结壳热阻 |
| VGS | 栅源电压（直流） | R(th)ja | 结环热阻 |
| VGSF-- | 正向栅源电压（直流） | PD | 漏极耗散功率 |
| VGSR | 反向栅源电压（直流） | PDM | |
| ards | 漏源电阻温度系数 | PIN-- | 输入功率 |
| aID | 漏极电流温度系数 | POUT | 输出功率 |
| Vn | 噪声电压 | PPK | 脉冲功率峰值（外电路参数） |
| η | 漏极效率（射频功率管） | to(on) | 开通延迟时间 |
| Zo | 驱动源内阻 | td(off) | 关断延迟时间 |
| VGu | 栅衬底电压（直流） | ti | 上升时间 |
| VDu | 漏衬底电压（直流） | ton | 开通时间 |
| Vsu | 源衬底电压（直流） | toff | 关断时间 |
| VGD | 栅漏电压（直流） | tf | 下降时间 |
| VDS(sat) | 漏源饱和电压 | trr | 反向恢复时间 |
| VDS(on) | 漏源通态电压 | Tj | 结温 |
| V（BR）GSS | 漏源短路时栅源击穿电压 | Tjm | 最大允许结温 |
| V（BR）DSS | 漏源击穿电压 | Ta | 环境温度 |
| VGS(th) | 开启电压或阀电压 | VGG | 栅极（直流）电源电压（外电路参数） |
| Vss | 源极（直流）电源电压（外电路参数） | VDD | 漏极（直流）电源电压（外电路参数） |
标签： 场效应管
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