近300亿美元涌入NAND闪存引发半导体行业增长热潮

据国外媒体报道，在连续3年增长之后，全球NAND闪存行业的资本支出，在今年将继续增加，并会创下新高。主要得益于消费端的需求旺盛，半导体行业再次迎来了一波新的增长热潮，全球半导体产值也实现了历史性增长。

作为半导体行业的重要分支，NAND闪存领域也得到了飞速的发展，甚至已然成为继晶圆代工以后，投资规模第二大的细分领域。

从研究机构的数据来看，全球NAND闪存行业今年的资本支出，将达到299亿美元，较去年的277亿美元增加22亿美元，同比增长8%。同比继续增长，也就意味着全球NAND闪存行业今年的资本支出，将超过2018年的278亿美元，创下新高。

更为重要的是，299亿美元的支出占2022年整个集成电路行业资本支出1904亿美元的16%，仅落后于晶圆代工，这一部分预计将占今年行业资本支出的41%。

新建和最近升级版的NAND闪存工厂包括三星的Pyeongtaek Lines1和2(也用于DRAM和代工);三星在中国西安的二期投资;铠侠在日本岩手的Fab6和FabK1，以及美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK海力士为其M15工厂的剩余空间配备了NAND闪存。

值得注意的是，在研究机构的预期中，今年全球NAND闪存行业8%的资本支出增速，明显低于去年的13%，较2020年的9%也有放缓，明年的增速，可能会继续放缓。