罗姆携手台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件

ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和台达电子（以下简称“台达”）共同宣布，就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。

罗姆指出，双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术，联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。

罗姆董事、常务执行官、CSO 兼财务本部长伊野和英表示:“非常荣幸罗姆可以和在电源管理和散热解决方案具全球领先地位的台达，缔结以GaN功率器件为核心的战略合作伙伴关系。在全球实现无碳社会的努力中，作为罗姆的重点发力产品之一，功率半导体在其中发挥的作用越来越大。从Si、SiC（碳化硅）到GaN，罗姆一直在广泛的领域推动先进元器件的开发，同时积极致力于提供可以更大程度提升这些元器件性能的控制IC、以及与外围部件相结合的解决方案。通过此次的战略合作伙伴关系，将成功实现GaN功率器件的量产，有助于构建高效电源系统，让罗姆引以为傲的GaN IPM（内置模拟IC）能尽早进行量产，不断扩大符合客户需求的产品阵容。”

台达副董事长 柯子兴表示:“GaN功率器件是今后深受业界关注的新一代半导体之一，过去几年双方进行了非常密切的交流，今年技术交流的成果是一个值得欣喜的里程碑，也象征双方的合作关系将更加紧密。对台达而言，积极推动GaN电源应用研发是今后的重点事业方向之一，除了在GaN产品面之外，我们也希望跟罗姆擅长的模拟电源技术（Nano技术）等有更多合作的机会，并且通过这样的合作，共同努力为全球电源市场带来全新的变化。”

据了解，今年3月，罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系，并将该系列产品命名为“EcoGaN™”，产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用。今后，罗姆将继续扩大“EcoGaN™”的产品阵容，并致力于进一步提高产品性能。

EcoGaN概述

EcoGaN是ROHMCo.,Ltd.的商标或注册商标。EcoGaN是通过更大程度地优化GaN的低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。