三星开始量产第8代236层V-NAND闪存 PCIe 5 SSD速度可超12GB/s

近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

据介绍，三星第八代V-NAND采用3D缩放（3D scaling）技术，不仅可以减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

通过3D缩放技术，三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”

据悉，三星此前在2022年科技日上首次推出了512Gb TLC第8代V-NAND，位密度提高了42%，并表示全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。

作为全球最大的NAND Flash厂商，三星预计，到2030年，NAND闪存堆叠层数将超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。为了实现这一目标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构，以提高密度并启用更多层。