机构表示化合物半导体衬底市场2027年体量将达到24亿美元

研究机构Yole Intelligence日前发布对化合物半导体衬底市场的预测，认为在功率和光学应用驱动下，到2027年市场规模将达到24亿美元，2021-2027年间复合年增长率为16%。在过去的几十年中，化合物半导体 (CS) 已被用于各种应用。最近，功率器件中的 SiC 和 GaN，RF 中的 GaN 和 GaAs，光子学中的 GaAs 和 InP，以及显示器中的 LED 和 LED，都获得了强劲的发展势头。

该机构认为，化合物半导体近期在多个领域应用获得突破，如功率领域的SiC和GaN、射频领域的GaN和GaAs、光子领域的GaAs和InP，以及显示领域的LED和µLED都形成了发展动能，相关衬底与外延片市场也随之增长。

Yole Intelligence分析师Poshun Chiu表示，“Wolfspeed是功率SiC和射频GaN领域领先的碳化硅衬底和外延片供应商。由于大直径衬底是下一代器件制造的战略资源，8英寸晶圆厂的开工和材料产能的扩张说明了未来十年雄心勃勃的目标。”

该机构还提到，近期II-VI正式更名为Coherent，代表其战略重心的转变，公司已成为领先的光学器件制造商，也是功率和射频应用领域领先的SiC基板供应商。此外，它正在与住友、通用电气等机构联手，借助合作伙伴优势加强从衬底到器件的竞争力。

该机构指出，AXT、住友电工、弗莱贝格和中国厂商山东天岳是GaAs、InP和半绝缘SiC衬底的领先供应商，这些厂商正试图扩展其衬底片应用于射频、光学、显示等不同领域。

Yole Intelligence分析师Taha Ayari认为，外延片供应商受益于不同市场的需求动能，如英国厂商IQE已经涉足多类衬底片市场。µLED是一个蓬勃发展的新兴领域，预计在未来五年内每年市场规模都会翻一番。全新光电（VPEC）也是一家值得留意的企业，其已成为公开市场上最大的射频GaAs外延片供应商。

随着 LED、手机功率放大器以及电信和数据通信，化合物半导体在 1990 年代经历了 GaAs 和 InP 的第一个转折点。随着当今市场对智能手机中 5G 连接、电动汽车和快速充电器的需求，化合物半导体的数量和市场价值都将增长。

展望未来，电动汽车和更高电压的应用、各种终端系统中的传感、5G 到 6G 的过渡以及 LED 显示将为不同的化学物半导体材料带来膨胀点，以及更多新兴基板和新应用来。