三星将扩大DRAM及晶圆代工产能 新增至少10台EUV

据产业人士消息，尽管全球经济减缓，但三星电子明年将扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，将新增至少10台极紫外光微影设备（EUV）。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。

据悉，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，每月可生产7万片的12英寸晶圆，目前P3厂DRAM产线的产能为每月2万片。三星预期利用新的设备生产12纳米的DRAM。截至Q3，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片。

另外，三星还规划将P3厂的每月晶圆产量提高3万片。截至Q3，三星的每月晶圆代工整体产量为47.6万片。此外，三星电子还决定明年将新设至少 10 台极紫外光刻设备（EUV），而三星目前仅有 40 台。

不久前，三星宣布推出了业界最先进12纳米级高性能且低能耗的DDR5 DRAM，计划从明年开始量产，并向数据中心和人工智能等不同客户供货。

相关信息显示，目前三星在韩国有 5 家半导体工厂，分别位于器兴、华城、平泽、温阳和天安。此外，三星还在中国苏州、天津和西安还运营有三家芯片工厂，在美国得克萨斯州奥斯汀也有一家芯片工厂。

三星最大的半导体工厂便是平泽的 P3 工厂，该工厂从 2020 年年底开始建设，历时近两年建成，从今年 7 月份开始生产最尖端的 NAND 闪存芯片，未来可能还会生产应用处理器和其他半导体。