三星二代3nm工艺将如期量产 功耗直降50%

近日有消息称三星二代3nm工艺取得新进展，与之前的FinFET工艺相比，具有更好的性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示：“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产，多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比，具有性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。”

据悉，目前量产是基于3nm GAA技术基础上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。而GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利，有助于实现更好的PPA优势。GAE工艺够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

此前三星宣布第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产。三星表示，第二代3nm GAA工艺将加入MBCFET架构，使得3nm芯片的面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%。除了三星自己要用之外，3nm工艺还锁定了四大客户，包括IBM、NVIDIA、高通及国内的百度公司，这些公司综合考虑了过去的战略合作伙伴关系、多供应链的必要性等因素，选择三星作为芯片代工企业。

去年6月30日，三星电子宣布3nm芯片量产，成为全球第一家量产3nm芯片的厂商，但是三星第一代3nm GAA工艺良率较低，去年并没有获得多少客户订单。为了提高3nm良率，三星与美企Silicon Frontline Technology公司进行合作，希望通过对方的静电放电预防技术，帮助三星晶圆厂改进前端工艺和芯片性能。