SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成

SK海力士宣布其第五代10纳米工艺1bnm已经完成验证，将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供支持。SK海力士 1bnm工艺将为DDR5提供6.4 Gbps的速度，为HBM3E提供8 Gbps的速度。

SK海力士还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，Xeon Scalable平台获得了英特尔认证，支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnm DDR5内存的成功评估发生在1anm（第四代10nm节点）实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。

SK海力士预计，在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后，与英特尔合作的1bnm DDR5产品的验证过程将顺利进行。

在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们从下半年开始提高收益。

开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。

提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps（目前为业界最高），比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外，1bnm DDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，这是因为采用了高K金属栅极工艺，引入了高介电常数材料，可以防止泄漏电流并提高电容。

HBM3E（HBM3扩展）： HBM3E是第五代高带宽内存产品，继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SK海力士计划在下半年准备好HBM3E产品的样品，以8Gbps的数据处理速度运行，并在2024年开始大规模生产。

该企业还表示，该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SK海力士计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品，并在2024年开始大规模生产。