SK海力士开始量产业界最高238层4D NAND闪存
发布时间:2023-06-08 17:22:02 阅读量:694
SK海力士宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。
SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client SSD)解决方案产品,并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。
SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。
SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示:“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限,并加强竞争力,在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。”
*PCIe 5.0:PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽(32GT/s,千兆传输/秒)。
相关文章阅读
-
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
2024-05-22
-
SK海力士再获HBM大单 客户存款大增
2024-05-21
-
NAND Flash涨价 存储原厂铠侠扭亏为盈
2024-05-16
-
SK海力士将为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片
2024-05-16
-
SK海力士计划2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
2024-05-14
-
三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
2024-05-13
-
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案
2024-05-10
-
SK海力士表示2025年生产的HBM产品基本售罄
2024-05-06