SK海力士发布321层NAND闪存样品 预计2025年上半年量产

SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。

该公司表示，已量产的全球最高 238 层 NAND 的成功为其积累了技术竞争力，为 321 层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破，SK hynix 将开启 300 层以上 NAND 的时代，引领市场潮流。"

321层1Tb TLC NAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。

ChatGPT 的推出加速了生成式人工智能市场的发展，自此，对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此，在本届FMS上，SK hynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能，充分满足客户对高性能的需求。

SK海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。