三星预计明年初推出第九代NAND闪存芯片并开始量产

近日，三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。

存储芯片作为重要的硬件组成，广泛应用于各个领域，如移动设备、云计算、物联网等。同时，新兴技术如人工智能、大数据等也推动了存储芯片市场的发展。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。

据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

而DRAM先进制程工艺10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光于去年10月量产1β DRAM，计划于2025年量产1γ DRAM；三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段。

李政培还表示，对于DRAM，三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。他提到，在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料非常重要。

随着智能手机的普及和容量的增加，闪存已成为其不可或缺的重要组成部分。NAND闪存的需求正在以指数级增长，其中主要受到智能手机平均容量增长的推动。据预测，到2028年，NAND FLASH市场规模将达到约1040亿美元。