英飞凌与多家知名厂商合作 加码SiC与GaN技术

近期，英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中，英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，从而进一步提升储能变流器的效率。

同时，英飞凌还宣布与安克创新（Anker Innovations）在深圳联合成立创新应用中心，已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。

该中心将基于英飞凌新一代混合反激式（HFB）控制器产品系列和用于100 W以上快充充电器的CoolGaN IPS产品系列进行开发，为市场提供更高功率密度与高能效的PD快充解决方案。

与硅材料相比，SiC与GaN两种材料各有长处。碳化硅作为一种纵向器件，在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具有明显优势，有助于新能源车电力电子系统轻量化、高效化，有望替代部分硅在光伏、储能、新能源车上的部分应用。氮化镓作为横向器件，更适合应用在高频率、中小功率场景下，比如PD快充、微型逆变器、服务器电源、电动工具等领域，一定程度上，两种材料形成了互补。

据TrendForce集邦咨询数据，2022年全球SiC功率器件市场规模约16.1亿美元，至2026年可达到53.3亿美元，CAGR达35%；全球GaN功率器件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，CAGR高达65%。