三星预计获美60亿美元芯片补贴
发布时间:2024-03-18 14:51:18 阅读量:599
美国商务部拟向韩国三星电子提供超过60亿美元巨额补贴的消息经美媒披露后,在韩国业界引发了广泛讨论。各方认为,这一举措背后不仅反映出韩美两国间紧密的合作关系,更突显了三星电子在全球半导体领域中的关键战略地位。舆论指出,该决定将有力助推三星电子巩固其在美国市场的地位,并可能加剧本土芯片制造企业间的竞争态势。
三星电子目前已经在美国得克萨斯州建设一座新工厂,此前规划将于今年 7 月份开始生产 4 纳米产品,不过最新消息称投产时间可能会推迟到 2025 年。
三星预计在几十年内在得克萨斯州建设 11 家芯片生产厂,同时发展奥斯汀现有的一个综合体。
据悉,三星目前已经和美国相关部门达成了初步协议,有望获得的 60 亿美元补贴并不仅限于得克萨斯州工厂项目,但目前尚未明确补贴的具体用途。
根据此前消息,英特尔获得了 100 亿美元的补贴,台积电获得了 50 亿美元的补贴,Global Foundries(格芯)获得 15 亿美元补贴,而三星电子如果再获得 60 亿美元的补贴,那么留给其它厂商的补贴就非常少了。
美国计划在先进光刻技术上投入 280 亿美元,仅上述 4 个项目就需要 225 亿美元了。
美国当局准备以偿还方式再拨款 750 亿美元,但三星公司已秘密表明,它对这方面的贷款和预付款不感兴趣。据知情人士透露,美国官员应在下周决定对英特尔的补贴规模,其他公司可能会在下周获得批准。
相关文章阅读
-
三星1nm制程量产时间或提前至2026年
2024-05-30
-
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
2024-05-29
-
三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试
2024-05-27
-
三星完成开发首款可穿戴机器人Bot Fit,计划Q3上市
2024-05-27
-
三星投资提升3纳米工艺以争夺英伟达订单
2024-05-23
-
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
2024-05-22
-
消息称三星HBM3E芯片未通过英伟达验证
2024-05-17
-
三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
2024-05-13