配备EUV光刻机 SK海力士开始量产第四代10纳米级DRAM

按照SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。已经于7月初开始量产适用第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品,预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。

此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM，其意义非凡。相比于前一代1z nm级工艺，1a nm级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25％，带来了生产效率的提升和更高的成本竞争力。1a nm级DRAM稳定支持LPDDR4移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20％。SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。

SK海力士1a纳米级DRAM领导小组（Task Force）的曹永万副社长表示：“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。”

芯片的制造少不了ASML生产的光刻机，其中目前最先进的当属ASML旗下的EUV光刻机。在这之前，启用EUV技术光刻机闪存内存芯片的还包括三星和美光，不过美光时间上要更晚一些，其要在2024年生产新的EUV内存芯片。去年10月份左右，SK海力士宣布与Intel签署收购协议，将支付90亿美元（约合601亿元）接手Intel的闪存及存储业务。

对内存来说，它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。从各方面的数据来看，SK海力士未来几年中也会是ASML的EUV大客户。