美光官宣全球首款232层NAND已量产 密度最高,速度提升50%

美光宣布，已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，采用领先行业的创新技术，为存储解决方案带来了前所未有的性能。初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2），其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。