美光存储器迎来新进展

研调机构TrendForce集邦咨询于17日举办了AI服务器论坛。据美光透露，他们已经长时间准备了DDR5技术，并且HBM的产能在2025年之前已经达到了满载。美光在各种存储器产品方面有多种布局，并为AI数据中心提供了强大的支持。

美光在全球布局超过54,000项专利，存储器和存储技术领先业界，目前已经酝酿很久DDR5，下一代会做到1γ制程，采用EUV制程技术，计划2025年率先在中国台湾量产。

美光表示，公司拥有广泛的产品群组、长周期生命产品，以及完整的系统规划。随着AI改变数据中心生态，读取方式已经不同，必须跟着AI神经网路模式运作，因此深度学习的读写比率已经到5000:1，意味着读取速度远超过写入速度，因此选择合适的储存设备相当重要。

对此，美光也进行服务器架构优化，当GPU服务器和SSD以1:1方式进行训练，效能会做到最好。另外，随着AI时代来临，在AI效能和成本间的平衡也越发重要，美光推出能最佳化现有系统并延长设备寿命的DDR4，速度高达3,200MT/s。在多核心CPU架构下，美光DDR5以6,400MT/s速度，使频宽增至DDR4的2倍、深度学习效能为DDR4的5倍、AI性能提升7倍，支持AI、HPC和企业负载。

NAND部分，美光目前推出232层NAND，以稳定在产品上应用为主，并同步发展HBM3e甚至HBM4。美光表示，CXL也是未来相当重要的发展方向，目前推出的CZ120为存储器扩充模组，可提供更多容量、频宽和灵活配置，是较为前端的应用，目前样品已经分享给合作伙伴。