三星逆周期扩产或对存储价格造成更大压力

市场消息传出尽管全球经济减缓，但三星电子明年将扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，将新增至少10台极紫外光微影设备（EUV）。据悉台积电、英特尔、SK海力士、美光、南亚科等国际半导体大厂因应市况调整，已陆续下修资本支出，三星却逆势操作，不仅存储器扩产不踩刹车，晶圆代工也因基期低而大举在韩国与美国扩产，牵动全球半导体产业发展。

三星位于南韩平泽的P3厂将扩增DRAM设备，每月可生产7万片的12吋晶圆，高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。三星将使用新的设备生产12纳米DRAM，截至第3季，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片，以增产7万片计算，增幅达10.5%，手笔不小。

另一方面，报道指出，三星也规划将P3厂每月晶圆代工产量提高3万片，并增加4纳米产能，强攻先进制程。截至第3季，三星的每月晶圆代工总产量为47.6万片，换算增幅约6.3%。按照三星的计划，2023年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV光刻机，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。

业界认为，三星晶圆代工因产能约五成自用与约五成对外接单而呈现供不应求，其4纳米制程已在本季陆续扩产到位。即便三星在先进制程产能规模仍仅约龙头台积电的五分之一，但三星展现强烈企图心追赶台积电。

存储器方面，受智能手机、PC等需求疲软冲击，DRAM和储存型快闪存储器（NAND Flash）价格持续走跌，尽管其他原厂和台厂都祭出减产和缩减资本支出的策略，但业界龙头三星始终逆势运作，虽然有助于三星本身规模扩张，但对整体存储器市场而言并非好事，不仅会拖延库存去化的时间，也会使得相关同业营运更具压力。

市调机构Omdia统计，三星在全球DRAM市场市占率节节攀升，从2021年第4季的41.9%，今年第2季扩大到43.4%，稳居龙头。NANDFlash方面，三星今年第2季市占率达33.3%，排名第一。