机构：2023年SiC功率元件市场产值估将突破22亿美元

第三代半导体包括碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美(onsemi)、英飞凌(Infineon)等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

该机构表示，SiC功率元件的前两大应用为电动汽车与再生能源领域，分别在2022年已达到10.9亿美元及2.1亿美元，占整体SiC功率元件市场产值约67.4%和13.1%。车用方面，安森美与大众汽车（VM）签属战略协议，为VM提供EliteSiC 1200V主逆变器功率模块，另外该系列产品亦被起亚汽车（Kia Corporation）选中，用于EV6 GT车款；而Wolfspeed与奔驰（Benz）深化合作关系，提供其电动汽车所需的SiC功率元件。再生能源方面，安森美也与Ampt合作，提供太阳能与储能系统优化器所需的SiC MOSFET；而英飞凌的CoolSiC已导入台厂台达电（Delta）的双向逆变器中，应用于太阳能发电、储能、电动汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源（Bloom Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。

据悉，衬底成本在碳化硅功率器件中占比达49%，也是决定元件质量的关键，目前Wolfspeed的碳化硅衬底市场占有率超过60%，最受市场重视。全球半导体厂商对于8英寸碳化硅衬底的关注度也在不断提升，在Wolfspeed率先推出的8英寸碳化硅衬底的带领下，其他供应商将陆续跟上，并积极开展供应链上下游合作。

此外，TrendForce集邦咨询还预期，至2026年SiC功率元件市场产值可望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39.8亿美元、CAGR约38%；再生能源达4.1亿美元、CAGR约19%。