三星电子或于2025年量产2nm 2027年扩展至车用芯片

三星电子是全球领先的芯片制造企业之一，目前正在加强其在芯片代工领域的竞争力。最近，该公司发布了明确的路线图，计划在未来几年内夺取更多的市场份额。

三星电子近日在美国加州硅谷举办“2023三星晶圆代工论坛”，发布瞄准人工智能时代的最尖端晶圆代工流程路线图。

代工事业部社长崔世荣表示，众多合作企业正积极开发生成式AI专用半导体，三星电子也为满足AI市场的需求和技术趋势，将对新型全环绕栅极晶体管技术（GAA·Gate All Around）进行升级，推动AI技术革新。崔世荣强调，将与合作伙伴协同持续研发半导体尖端技术，使晶片等半导体技术更加多样化，加速“后摩尔时代”的到来。

三星电子去年6月实现基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米工艺半导体产品量产。该公司此前已公布将于2025年起量产基于GAA技术的2纳米工艺半导体，当天则提出了具体时间表，即自2025年起以移动终端为中心，到2026年将2纳米工艺适用于高性能计算机集群（HPC），并于2027年将其用途扩至车用芯片。

与此同时，该公司还决定从2025年起提供人工智能技术所需的高性能低电耗氮化镓（GaN）功率半导体晶圆代工服务。为此，公司将同相关企业构建先进封装协商机制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。

三星电子介绍，通过这些措施，公司力争在2027年将半导体生产能力提升至2021年的7.3倍。