台积电推出N4e制程 特殊制程产能提升50%

台积电在近日举行的 2024 年欧洲技术论坛上表示计划未来将特殊制程产能扩大 50%，提升半导体供应链弹性。

除标准制程外，台积电还可提供一系列的特殊制程 / 工艺代工服务，包括：

MEMS 传感器 SoC 工艺、用于 CMOS 图像传感器的 CIS 技术、嵌入式非易失性存储器（eNVM）、混合 / 射频产品、模拟芯片、高压半导体、BCD 功率 IC 和超低功耗（ULP）器件。

台积电将兴建低功耗4纳米节点，称为N4e，台积电官方蓝图将N4e加入N4P和N4X行列。

尚不清楚 N4e 工艺可能有哪些客户或应用使用，但可能专门给物联网和其他需要消耗电力的设备。 通常应用都采成熟制程，因相对廉价设备用先进制程成本太高。 台积电为需求做好规划，因计划要到2029年左右才能落实。

台积电业务发展和海外营运副总经理张晓强强调，已开始建造N4e节能制程产线。 张晓强未透露产线位置，产线快速部署是台积电第一次基本上跳过漫长审查过程，并开始进行。

台积电负责国际业务的副联席 COO 张晓强称，台积电近来重新开始为特殊制程专门建设新晶圆厂，未来四至五年将把特殊制程产能提升 50%，以扩大整体半导体代工网络的规模。

据悉，台积电目前在超低功耗领域最先进的制程是 N6e，作为一个 7nm 变体节点，N6e 支持 0.4~0.9V 工作电压，预计年内开始生产。消息指台积电希望将N4e电压一路降至0.4V，但研讨会并未提到性能或属性详细信息。