高端ArF光刻胶获得突破 中企南大光电首获14和7nm订单

光刻胶在芯片制造领域的重要性不言而喻，是对硅膜片表面进行曝光制程的必需品。光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂（聚合剂）、增感剂（光引发剂）、溶剂与助剂构成。是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶目前被广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作，约占IC制造材料总成本的4% ，是重要的半导体材料。

随着IC集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水平已由微米级进入纳米级。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向ｇ线(436nm)ｉ线 (365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2(157nm)EUV(13.5nm)的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。目前的光刻胶分为g线、i线、Krf、Arf四种，想要满足更高的集成度的集成电路制造，离不开更短波长光源，不管是高端的7nm，还是14nm，乃至90nm技术节点的芯片制造都需要用到这款材料。光刻胶产业是典型的技术和资本双密集型产业，其中，半导体光刻胶的生产难度最大。光刻胶市场主要由日本和美国垄断，其中日本占比72%，而大陆企业市占率不足13%。

目前中国企业南大光电现在已经成功突破了技术屏障，生产出了符合高端芯片的ArF光刻胶，彻底打破了这一局面。南大光电在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。据南大光电7月2日当天发布的最新公告，目前该司自研的ArF光刻胶产品顺利收获了一波客户，当前已经拿到小批量订单。不过，南大光电并没有给出客户的具体名单。但对于我国光刻胶市场而言，此举意味着我国距离实现高端光刻胶“国产替代”又近了一步。回顾今年 5 月份左右，江苏南大光电材料股份有限公司公告称，其控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的 ArF 光刻胶产品，再次通过了客户认证，其具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。

根据工信部 及研究机构Cision的报告显示，十三五期间，国内光刻胶市场实现年均14.5%增长，五年平均复合增长率为12.12% ，2020年全国光刻胶整体的市场规模达到176亿元，其中半导体光刻胶市场规模达到24.8亿元。ArF光刻胶成为集成电路制造领域需求量最大的光刻胶产品，随着未来集成电路产业的进一步发展，ArF光刻胶面临广阔的市场机遇。