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紧盯台积电 三星计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片
基于3纳米的全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立3纳米GAA工艺,赶上全球第一大代工公司台积电。
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行业新闻
消息称日本将与美国合作 力求2025年本土量产2纳米芯片
日经亚洲评论》报道称,日本将与美国合作,最早于2025年在日本本土建成2nm芯片制造基地,以便加入下一代芯片技术的商用化竞争。