美光推出232层3D TLC NAND闪存 计划明年投产

上周四，美光（Micron）隆重宣布了业内首创的 232 层 3D NAND 存储解决方案，并计划将之用于包括固态硬盘（SSD）驱动器在内的各种产品线。在阵列下 CMOS 架构（简称 CuA）的加持下，美光得以将两个 3D NAND 阵列彼此堆叠。如果一切顺利，该公司有望于 2022 下半年开始增加 232 层 3D TLC NAND 闪存芯片的生产。

结合 CuA 设计 + 232 层 NAND 方案，有助于极大地缩减美光 1Tb 3D TLC 闪存芯片的尺寸，同时降低生产成本或提升利润率。

美光尚未披露 232L 3D TLC NAND 的 IC 面积和 I/O 速率，但暗示新闪存将具有比现有 3D NAND 设备更高的性能，推测可用于配备了 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 。

美光科技产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出：该公司的相关闪存设备将配备自研和第三方主控，同时他们会保持与其他开发人员保持密切的合作，以提供对于新闪存的适当支持。

该公司围绕业内领先的托管型 NAND 存储、以及数据中心 / 客户端 SSD 产品所需的技术进行了优化研发，且内外部控制器组合一直是其垂直产品集成的一个重要组成部分。

这么做不仅可以确保为 NAND / 控制器技术实施恰当的优化，还能够满足其保持业内领先的相关要求。

该公司称，与上一代工艺节点相比，新一代 232 层 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光长期专注于移动应用，并与下游设备制造商保持着良好的合作伙伴关系。

最后，鉴于美光计划在 2022 下半年开启 232 层 3D TLC NAND 的生产，预计各类终端产品（比如 SSD）也会在 2023 年陆续上市。