ST推出具有电流隔离功能的氮化镓晶体管栅极驱动器

意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。

这款单通道驱动器可连接最高1200V的电压轨，而STGAP2GSN 窄版可连接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器能够向所连接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即使在高工作频率下也能精准控制功率晶体管的开关操作。

STGAP2GS 跨越隔离势垒的传播延时极短，只有 45ns，动态响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极驱动操作方式和性能。

STGAP2GS 驱动器无需使用光学隔离分立元件，方便消费电子、工业控制等产品设备采用高效、稳健的 GaN 技术。目标应用包括计算机服务器电源、工厂自动化设备、电机驱动器、太阳能发电、风力发电系统、家用电器、家用电风扇和无线充电器。

除了集成电流隔离功能外，新驱动器还具有内置系统保护功能，包括针对 GaN 技术优化的热关断和欠压锁定 (UVLO)，确保驱动器的可靠性和耐变性。

EVSTGAP2GS和 EVSTGAP2GSN 两个演示板分别集成标准版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 与 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增强型 GaN 晶体管，帮助用户评估驱动器的功能。

采用 SO-8 宽体封装的 STGAP2GS 和 SO-8窄体封装的STGAP2GSN现已上市。