台积电公布A16 1.6nm工艺 预计2026年量产

近日，台积电在美国举办了“2024年台积电北美技术论坛”，披露其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维集成电路（3D IC）技术，凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。

据了解，台积电在此次的北美技术论坛中，首度公开了台积电A16（1.6nm）技术，结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电（backside power rail）解决方案以大幅提升逻辑密度及性能，预计于2026年量产。

台积电还推出系统级晶圆（TSMC-SoWTM）技术，此创新解决方案带来革命性的晶圆级性能优势，满足超大规模数据中心未来对AI的要求。

据介绍，A16将结合台积电的超级电轨构架与纳米片晶体管，预计于2026年量产。

超级电轨技术可以将供电网络移到晶圆背面，为晶圆正面腾出更多空间，从而提升逻辑密度和性能，让A16适用于具有复杂信号布线及密集供电网络的高效能运算(HPC)产品。

台积电表示，相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。

除了A16外，台积电还宣布将推出N4C技术，N4C延续了N4P技术，晶粒成本降低高达8.5%且采用门槛低，预计于2025年量产。