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三星公布芯片制造技术路线图
据报道,三星电子公司在其位于加州圣何塞的美国芯片总部举办的年度代工论坛上,公布了其芯片制造的技术路线图,意图通过一系列即将推出的技术进步来增强其在人工智能芯片代工市场的竞争力。尽管三星作为全球领先的内存芯片制造商地位稳固,但在晶圆代工领域,它一直面临着来自台积电等竞争对手的强劲挑战。
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Gartner预测:2024年全球AI芯片收入将增长33%
Gartner的最新预测,2024年全球人工智能(AI)半导体总收入预计将达到710亿美元,较2023年增长33%。
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台积电大客户包下3纳米产能 订单排到2026年
据报道,AI服务器、HPC应用与高阶智能手机AI化驱动下,苹果、高通、英伟达、AMD等四大厂传大举包下台积电3纳米家族制程产能,并涌现客户排队潮,一路排到2026年。
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英飞凌推出PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器
英飞凌科技股份公司推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器,通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上,满足汽车电池管理行业的需求。它提供了一个完全集成的嵌入式系统,用于监控和管理汽车12 V铅酸电池,这对汽车电气系统的12 V供电非常重要。PSoC™ 4 HVPA-144K微控制器符合ISO26262标准,能够为现代汽车带来紧凑且安全的智能电池感应与电池管理功能。
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Diodes公司13.5Gbps高速视频开关支持最新标准
Diodes 公司 (Diodes)今日宣布推出 13.5Gbps 高速视频开关 PI3WVR41310。针对新一代商用显示器、游戏显示器、扩展坞、视频矩阵开关与嵌入式产品应用,该产品可提高分辨率与刷新率。
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铠侠计划2026年量产第10代NAND 采用低温蚀刻技术
报道称,铠侠计划于2026年量产第10代NAND,并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻,从而使存储器的存储单元间的存储通孔(memory hole)以更快的速度形成。
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Rapidus与IBM合作开发2nm半导体封装技术
最近,日本晶圆代工公司Rapidus与IBM宣布达成合作伙伴关系,旨在共同发展2纳米半导体封装的大规模生产技术。根据协议,Rapidus将获得IBM授权的高性能半导体封装技术,并与IBM共同进行技术研发。
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WSTS:上调今年全球半导体产值预测至6110亿美元,同比增长16%
世界半导体贸易统计组织(WSTS)宣布上调今年全球半导体产值预测,预估年增16%,并乐观看待2025年存储和逻辑产业推动产值有望持续成长12.5%,预计将连续两年强劲成长。WSTS上调2024年春季预测,预计2024年市场估值为6110亿美元。今年主要有两个集成电路类别将推动今年的成长,增幅达到两位数:逻辑成长10.7%,存储成长76.8%。相反,分立元件、光电子元件、感测器和类比半导体等其他类别预计将出现个位数下降。
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英飞凌推出全新 NFC I2C 桥接标签
物联网设备的数量正在迅速增加并应用到各行各业之中。随着智能设备数量上涨,用户对设备配置和配对等操作所应具有的简易性之要求也一并提高。为此,英飞凌科技股份公司推出了OPTIGA™ Authenticate NBT产品。
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Diodes公司推出新款DML30xx智能负载开关系列
Diodes 公司宣布扩展广受欢迎的 DML30xx 智能负载开关系列。此次推出四款新产品:DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 与 DML3012LDC,可针对 0.5V 至 20V 的电源轨实现大电流 (10.5A 至 15A) 电源域 (Power Domain) 开关控制。