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媒体报道三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
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媒体报道SK海力士计划为HBM注入新功能
SK海力士正在开发一种新概念，即增加了计算和通信功能的下一代HBM。该战略旨在扩大与HBM市场后来者的差距，该市场的竞争正在通过差异化的技术和性能不断升温。
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媒体报道美光将在日本广岛建造新的DRAM芯片工厂
美光科技计划在日本广岛县建造一家新的DRAM芯片工厂，目标是最快在2027年底投入运营。总投资估计在6000-8000亿日元之间。美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。
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媒体报道台积电预测AI加速器市场或将增长250%
根据台积电在其技术研讨会上透露的信息，去年下半年半导体市场才开始复苏，因此分析师对今年的增长持谨慎态度。尽管PC和智能手机领域今年的增长预期仅为个位数，但有一个半导体市场预计将增长约250%，那就是AI加速器市场。
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媒体报道市场需求强劲 台积电计划2024年新建七座工厂
台积电高管黄远国表示，因应高效能运算（HPC）及智能手机强劲需求，台积电今年持续积极扩产，将兴建7座工厂，预计今年3纳米制程产能较2023年相比将增加3倍。
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媒体报道三星投资提升3纳米工艺以争夺英伟达订单
继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。
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媒体报道三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。据悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%，但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb（16Gx8）MLC 通用闪存的价格却按兵不动。
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媒体报道Rapidus首条试产线施工顺利 进度已达30%
日本先进制程代工厂 Rapidus 总裁小池淳义前日向日本经济产业大臣斋藤健表示，Rapidus 晶圆厂项目施工顺利，首条试产线进度已达 30%。斋藤健于上周访问北海道千岁市，并对 Rapidus 的 IIL-M 晶圆厂工地进行了视察。
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媒体报道台积电推出N4e制程 特殊制程产能提升50%
台积电在近日举行的 2024 年欧洲技术论坛上表示计划未来将特殊制程产能扩大 50%，提升半导体供应链弹性。 除标准制程外，台积电还可提供一系列的特殊制程 / 工艺代工服务，包括： MEMS 传感器 SoC 工艺、用于 CMOS 图像传感器的 CIS 技术、嵌入式非易失性存储器（eNVM）、混合 / 射频产品、模拟芯片、高压半导体、BCD 功率 IC 和超低功耗（ULP）器件。
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媒体报道HBM产能增加或有助于稳定DRAM价格上涨势头
因PC、智能手机需求复苏仍需时间，造成在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇。2024年4月份指标性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.95美元左右、容量较小的4Gb产品价格为每个1.50美元左右，价格皆持平于前一个月份(2024年3月)水准、皆为连续第2个月呈现持平。截至2024年2月为止、DRAM价格连4个月呈现扬升。DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。
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