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据报道，三星电子公司在其位于加州圣何塞的美国芯片总部举办的年度代工论坛上，公布了其芯片制造的技术路线图，意图通过一系列即将推出的技术进步来增强其在人工智能芯片代工市场的竞争力。尽管三星作为全球领先的内存芯片制造商地位稳固，但在晶圆代工领域，它一直面临着来自台积电等竞争对手的强劲挑战。
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Gartner的最新预测，2024年全球人工智能（AI）半导体总收入预计将达到710亿美元，较2023年增长33%。
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据报道，SK海力士在今年的COMPUTEX 2024上展出了GDDR7的样品，并表示计划2025年第一季度开始量产。相比于竞争对手三星和美光，SK海力士似乎是进入大规模生产阶段最晚的一家。
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据报道，AI服务器、HPC应用与高阶智能手机AI化驱动下，苹果、高通、英伟达、AMD等四大厂传大举包下台积电3纳米家族制程产能，并涌现客户排队潮，一路排到2026年。
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英飞凌科技股份公司推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器，通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上，满足汽车电池管理行业的需求。它提供了一个完全集成的嵌入式系统，用于监控和管理汽车12 V铅酸电池，这对汽车电气系统的12 V供电非常重要。PSoC™ 4 HVPA-144K微控制器符合ISO26262标准，能够为现代汽车带来紧凑且安全的智能电池感应与电池管理功能。
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Diodes 公司 (Diodes)今日宣布推出 13.5Gbps 高速视频开关 PI3WVR41310。针对新一代商用显示器、游戏显示器、扩展坞、视频矩阵开关与嵌入式产品应用，该产品可提高分辨率与刷新率。
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据报道，三星电子预计今年将扩大其2.5D和3D MDI（多芯片集成）联盟，新增十名成员。业界认为，三星电子此举旨在试图缩小与台积电的技术差距。
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据苏州工业园区官微，6月7日，三星半导体全球分拨中心在苏州工业园区正式乔迁开业。
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报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。
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最近，日本晶圆代工公司Rapidus与IBM宣布达成合作伙伴关系，旨在共同发展2纳米半导体封装的大规模生产技术。根据协议，Rapidus将获得IBM授权的高性能半导体封装技术，并与IBM共同进行技术研发。
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