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日本政府支持的半导体开发研究小组（前沿半导体技术中心或LSTC）将与美国初创公司Tenstorrent合作设计其首款先进AI芯片。Tenstorrent表示将授权其日本AI加速器的部分设计，并将与LSTC共同设计整体AI芯片。
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三星电子宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。
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美光科技宣布开始送样增强版通用闪存（UFS）4.0移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现1 TB容量，其高性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。
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三星电子公司近日表示，将作为创始成员加入AI-RAN联盟。三星电子将与英伟达、Arm、软银、爱立信、诺基亚、微软等巨头一起，成为在今年世界移动通信大会（MWC）上成立的AI-RAN联盟的创始成员。联盟目标是将人工智能和无线通信技术相结合，形成6G技术研发的生态系统。
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MWC 2024上，英特尔官宣了Granite Rapids-D至强处理器，这一面向电信等领域产品将于明年正式发布。除电信外，英特尔至强D处理器也面向边缘应用领域。
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近日，美光科技宣布，已开始量产HBM3E，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今美光、三星都将加入。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。
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新年新气象，新岁新起点。复工鼓干劲，乘龍启新程。ICGOO全面推进复工，跑好开年“第一棒”。全体成员祝您开市大吉行好运，阔步前行向未来。
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发布时间: 2024年2月27日 13:39 阅读量: 5661
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目前的HBM市场主要以SK海力士、三星和美光三家公司为主。 SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。 稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。
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