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Marvell数据中心业务大涨87% 其他业务表现下滑
Marvell 美满电子当地时间昨日公布 2025 财年第一财季财报。Marvell 的 2025 财年第一财季从 2024 年 2 月 4 日开始,截至 2024 年 5 月 4 日。
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SK海力士计划在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶
随着 DRAM 小型化的不断推进,SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据悉,SK 海力士计划在第六代(1c 工艺,约 10 纳米)DRAM 的生产中采用 Inpria 公司开发的下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这将是 MOR 首次在 DRAM 量产工艺中应用。
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三星1nm制程量产时间或提前至2026年
三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时,其将公布其最新的技术路线图,1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
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Arm发布基于3nm芯片工艺的新一代CPU和GPU架构
AI 手机、AI PC 正在逐渐走入我们的生活。芯片设计公司Arm今日发布了针对旗舰智能手机的新一代CPU和GPU IP(设计方案):Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新产品均使用了其最新的Armv9架构,基于台积电3nm制程工艺方案,针对终端设备在AI应用上的性能进行设计优化。
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全球晶圆厂产能利用率达七成 半导体行业迎来复苏
全球晶圆厂行业正在走出去年的行业低谷,近期整体产能利用率已达到约 70%。半导体行业 2023 年晶圆厂开工率低于 70% 这一大关,8 英寸成熟晶圆厂的产能利用率更是只有 50~60%,但这一情况自去年底来逐渐有了改观。
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消息称英伟达计划推出采用Arm和Blackwell内核的AI PC芯片
业内有传言称,英伟达正在准备推出一款将下一代Arm内核与其Blackwell GPU架构相结合的芯片,Windows on ARM领域的竞争可能会愈演愈烈。
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台积电成功开发CFET晶体管架构
台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布,台积电已成功集成不同晶体管架构,在实验室做出CFET(互补式场效应晶体管),台积电今年 3nm 制程工艺将扩增三倍。
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HOLTEK新推出HT45F8750/62锂电池管理MCU
Holtek新推出锂电池管理Flash MCU HT45F8750/HT45F8762系列,相较于第二代HT45F8640/HT45F8650/HT45F8662系列,锂电池电压侦测精准度提升至±15mV,新增差分OPA提升侦测充/放电电流精准度并且内建硬件短路电流保护,实现快速响应关闭MOS,适合应用于3~8串锂电池产品,如BMS板、电动工具、无线吹风机、无线吸尘器等。
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三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试
之前有报道称,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,因存在发热和功耗问题而受到影响。
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三星完成开发首款可穿戴机器人Bot Fit,计划Q3上市
据报道称,三星已经完成了 Bot Fit 的开发和量产,该公司计划在今年第三季度推出旗下首款可穿戴辅助机器人。 据悉,Bot Fit 旨在帮助行动不便的个人并增强身体活动。自去年年底以来,三星一直在向老年社区提供 Bot Fit 原型,并计划在年内进入 B2C 市场。