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行业新闻环球晶预测半导体产业将在2024年复苏增长
近日，硅晶圆厂环球晶公布2023年财报，全年合并营收达706.5亿新台币，同比增长0.5%；营业毛利264.4亿元新台币，同比下降12.9%；营业毛利率为37.4%；净利润200.6亿元新台币，同比下降19.7%。
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行业新闻电感器: TDK推出用于汽车高频电路的全新电感器
TDK公司推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 (1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高)，电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。
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行业新闻三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM
三星电子宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。
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行业新闻美光推出紧凑型UFS 助力智能手机增加电池容量
美光科技宣布开始送样增强版通用闪存（UFS）4.0移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现1 TB容量，其高性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。
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行业新闻美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存
近日，美光科技宣布，已开始量产HBM3E，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今美光、三星都将加入。
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行业新闻Vishay推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
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行业新闻Nexperia推出节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。
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行业新闻美光、SK海力士2024年HBM产量已卖光
目前的HBM市场主要以SK海力士、三星和美光三家公司为主。 SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。 稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。
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行业新闻谐波减速器的工作原理及特点
谐波减速器是一种新型的减速装置，它采用了一种独特的工作原理，可以实现高效、精确的减速效果。与传统的减速器相比，谐波减速器具有结构简单、体积小、重量轻、效率高、精度高等特点，在机械传动领域中应用广泛。本文将介绍谐波减速器的工作原理及其特点，以帮助读者更好地了解这种新型减速装置。
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行业新闻Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™ 栅极驱动器
万物电气化推动了碳化硅 (SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。
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