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东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）于 5 月 23 日发布公告，宣布其 300 mm 晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。
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据报道，韩国政府宣布了总计 26 万亿韩元的芯片支持计划，以帮助三星电子和 SK 海力士等韩国企业在日益激烈的竞争中保持领先地位。
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公用事业、交通和移动网络等关键基础设施依赖时间来实现网络同步。时间的主要来源是全球卫星定位系统(GPS)等国家授时系统，但 GPS 信号容易受到干扰和欺骗攻击。为了继续为关键基础设施运营商提供安全的授时解决方案，Microchip Technology (微芯科技公司)今日发布 TimeProvider® 4100 主时钟V2.4 版固件，其具有嵌入式 BlueSky™ 防火墙功能，可在将信号用作时间基准之前检测潜在威胁并验证GNSS。
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继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。
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大型晶圆代工公司联电宣布在新加坡Fab 12i举行了第三期扩建新厂的上机典礼，首批机台设备已经进入该新厂，象征着公司扩产计划迈出了重要的一步。联电表示，他们在新加坡已经投入运营了超过20年的12英寸晶圆制造厂，而新加坡Fab12i P3厂也是联电先进特殊制程研发中心。
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业内消息，近日苹果公司首席运营官杰夫.威廉姆斯（Jeff Williams）访问台积电，双方举办了一场秘密会议，据说苹果将包圆台积电所有初期 2nm 工艺产能。
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Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
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日本先进制程代工厂 Rapidus 总裁小池淳义前日向日本经济产业大臣斋藤健表示，Rapidus 晶圆厂项目施工顺利，首条试产线进度已达 30%。斋藤健于上周访问北海道千岁市，并对 Rapidus 的 IIL-M 晶圆厂工地进行了视察。
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